Qualcomm nennt Details zu vier Kryo-Kernen

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Messen wie die derzeitige IFA werden nicht nur dafür genutzt, um Hardware wie Smartphones und Tablets zu präsentieren, sondern auch um Technik zu zeigen, die verborgen im Inneren der Geräte arbeitet. Qualcomm hat die Chance genutzt und Neues vom Prozessor Snapdragon 820 berichtet. Dieser soll doppelt so schnell sein wie sein Vorgänger.
Qualcomm Snapdragon
Bildquelle: Qualcomm

Der Hersteller Qualcomm hat die IFA dazu genutzt, um einige Details zum neuen Snapdragon 820 bekannt zu geben. Der Prozessor mit eigenen Kryo-Kernen soll durch die von Qualcomm selbst entwickelte Recheneinheiten mit ARM-v8-64-Bit-Architektur seine Leistung und auch Effizienz im Vergleich zu seinem Vorgänger verdoppeln können. Der Vergleich wird hier mit dem Snapdragon 810 gezogen, wobei jedoch nicht die Kerne, sondern vielmehr das System-on-a-Chip im Fokus stehen.

Qualcomm Snapdragon 820
Der Snapdragon 820 soll doppelt so schnell sein wie sein Vorgänger                Bildquelle: Qualcomm

Da die zwei Prozessoren allerdings unterschiedlich gefertigt worden sind, ist der Vergleich vom Hersteller nicht unbedingt gerecht. Demzufolge wurde der Snapdragon 810 noch im 20-nm-Verfahren von TSMC hergestellt, während der Snapdragon 820 von Samsung und Globalfoundries im 14-nm-Verfahren produziert wird. Der Unterschied liegt letztlich unter anderem darin, dass das der Snapdragon 820 wegen dem 14-nm-Verfahren weniger Strom verbrauchen soll.

Weiter verrät Qualcomm, dass der Prozessor erneut mit vier Kernen ausgestattet sein wird. Dank der Krait-Architektur können die Kerne unabhängig voneinander bis zu 2,2 GHz erreichen, was mehr Effizienz verspricht. Darüber hinaus hat Qualcomm den Snapdragon 820 eng mit dem Grafikchip Adreno 530 und dem Hexagon 680 DSP kombiniert, wobei letzterer die Aufnahme von Fotos verbessern soll. Erste Smartphones mit dem Prozessor werden Anfang 2016 erwartet. Gerüchten zufolge sollen das unter anderem das Google Nexus 5 (2015) und Nexus 6 (2015) sein.

Quelle: Qualcomm

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Simone Warnke
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